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十年磨剑！专注研发十余年，天岳先进攻克了碳化硅衬底材料的核心技术。从跟跑到领跑，从默默无闻到惊艳世界。天岳先进在全球率先推出12英寸碳化硅衬底，并在近日成为国内碳化硅衬底材料领域首家“A+H”上市企业。
这是一场围绕碳化硅衬底的“破壁”征程，也是一位材料学出身的创业者以技术信仰响应时代需求的硬核叙事。近日，天岳先进董事长宗艳民接受上海证券报记者专访，讲述十五年的创业心路，并分享了对碳化硅衬底材料行业的独到见解。
入局：
“我就想突破国家急需的半导体材料”
2010年，碳化硅产业在中国还是一片荒芜。技术壁垒高筑、回报周期漫长，让众多投资者望而却步。然而，宗艳民却义无反顾地踏入了这片“无人区”。
“我大学学的是材料专业，对技术始终有份执念。”宗艳民的目光中透着坚定，“我就想在国家急需的半导体材料上有所突破。”这句朴实无华的话语，背后是一颗产业报国的赤子之心。
创办天岳先进，宗艳民有双重考量：一方面，半导体材料是中国的“短板”，碳化硅更是国家亟须突破的“卡脖子”领域；另一方面，碳化硅作为一种性能卓越的半导体材料，自从20世纪80年代被发明以来，因制备难度极大始终难以商用。随着电气化浪潮奔涌，功率器件对碳化硅的需求日益迫切，突破技术瓶颈已成为产业发展的必然选择。
创业之路从来不会平坦。“坎儿太多了，最突出的是资金。”宗艳民回忆道，他将之前在工程机械领域积累的资金全部投入碳化硅研发，但这项技术的投入像个无底洞。2017年之前，公司始终在生存线上挣扎。转机出现在2018年通达配资，国际形势风云变幻，曾经依赖海外产品的企业纷纷将目光转向国内。天岳先进厚积薄发，其技术实力和产品优势得以彰显。“那之后，天岳在国家最需要的时候接住了重大任务，才算真正站稳了脚跟。”宗艳民说。
破局：
“我们把不可能变成了可能”
与传统硅基材料相比，宽禁带半导体材料具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等显著优势。采用宽禁带半导体材料制备的器件不仅能在更高温度下稳定运行，更适用于高电压、高频率场景。正是预见到这种材料的巨大潜力，天岳先进坚持投入研发，最终实现了关键技术的重大突破。
“我们始终坚持技术为先。从晶体设计、缺陷管理到原料提纯……每一步我们都走得特别扎实。”宗艳民的话语中透着自豪，“终于，我们以创新为利刃，打破了行业的认知，把不可能变成了可能。”
攻克晶体生长中的“应力”问题，是天岳先进技术突破的典型样本。应力过大会导致晶体开裂，影响面型和缺陷控制，应力的量化表征是个世界性难题。天岳先进团队领先攻克了这一技术，通过精准量化管控，显著提升了晶体质量和缺陷控制能力，这一突破如今已获行业认可。
大尺寸衬底是另一个关键突破口。尺寸越大，成本越低，但碳化硅采用气相升华法生长，难度极大。行业普遍认为8英寸已是“天花板”，但天岳先进研发团队偏要迎难而上。去年11月，当他们在德国慕尼黑电子展上亮出全球首枚12英寸碳化硅衬底时，整个行业为之震动。这不是单点突破，而是晶体生长、缺陷管理等全链条技术的整体跃升。
“震动很大。”宗艳民谈及当时的市场反应时说，“行业内，6英寸到8英寸的突破已极其困难，8英寸到12英寸被普遍认为‘不可能’。我们不仅做出来了，还在短时间内推向了国际舞台，彻底打破了行业对碳化硅技术上限的认知。”
如今，天岳先进已构建起完整的技术体系，覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检测等所有关键生产环节。公司在碳化硅领域积累了超过500项专利，数量排名全球前五、全国第一。根据日本富士经济报告的最新测算，2024年天岳先进在全球导电型碳化硅衬底材料市场中已夺得22.80%的份额，坐上全球第二把交椅。
谋局：
“拓展碳化硅材料应用的星辰大海”
如今，天岳先进的视野正扩向全球市场。“我们的愿景是成为国际著名半导体公司。”宗艳民表示。今年6月，公司荣获“全球半导体材料金奖”，这个半导体界的重大奖项，三十年来首次花落中国企业。这份荣誉，是对天岳先进技术和产品的认可。
如今，天岳先进已形成完整的6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵，包括12英寸高纯半绝缘型、12英寸导电P型及N型碳化硅衬底。“下一步，我们要不断拓展碳化硅材料应用的星辰大海。”宗艳民表示，天岳先进将以超大尺寸技术及产品为支点，持续深耕碳化硅半导体材料的蓝海市场。
赴港上市则是天岳先进的重要战略部署。宗艳民阐释了其深层考量：“一方面，公司可以拓宽融资渠道，加速产能扩张，满足全球下游客户对大尺寸高品质碳化硅衬底的旺盛需求；另一方面，港股上市让公司从中国走向世界，既提升了品牌国际影响力，也吸引了众多行业巨头成为战略投资者，进一步强化了产业合作纽带。”
在产能布局方面，公司已在济南、济宁和上海建立三大生产基地，碳化硅衬底年产能超过40万片。自公司设立以来，累计向客户交付的碳化硅衬底已突破100万片，且产能持续快速提升。公司与英飞凌、博世等龙头企业保持长期合作，持续供应高品质碳化硅产品，已与全球前十大功率半导体器件制造商中的过半企业建立起稳固的业务合作关系。
除了主流的导电型衬底，公司还在半绝缘型衬底及其他宽禁带半导体材料领域积极布局。在电力电子领域加速渗透的同时，碳化硅衬底正积极向AR眼镜光波导镜片（光学领域）、高性能滤波器（声学领域）等新兴应用领域拓展。今年7月，公司与舜宇奥来微纳光学（上海）有限公司达成战略合作，开启了微纳米光学领域与新材料跨界融合的新篇章。
2025年8月，天岳先进与东芝电子元件达成合作协议，双方将围绕SiC功率半导体特性提升与品质改善开展深度技术协作，并通过合作成果扩大高品质衬底供应。此次合作是天岳先进海外布局的重要突破，进一步巩固了其在日本市场的基础——此前的7月18日，公司已宣布向日本市场批量供应SiC衬底材料。
展望未来，宗艳民充满信心：“接下来，我们要做的是以技术引领行业：一是持续提供成本最低、品质最好的产品；二是与客户共同推动碳化硅的应用普及。”
“要知道，一颗碳化硅器件全生命周期能减少1.2吨二氧化碳排放通达配资，是真正的节能利器。未来在电动汽车、光伏、AI眼镜、散热材料等领域，我们将与全球产业伙伴携手，为人类绿色发展贡献力量。”宗艳民表示。
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